| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1HP04CH-TL-W
中文翻译 品牌: ONSEMI |
漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):170mA (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):18 Ohm @ 80mA, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):0.9nC @ 10V;栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):150°C | 栅 栅极 | ||
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1SD418F2-FX800R33KF2
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1200R33KF1
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1200R33KF2
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1200R33KL2C
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1500R25KF1
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ2400R17KF6
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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2N2679
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2679A
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2680A
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2681A
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2682
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2683
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 280mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2683A
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2684
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 280mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2684A
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2685
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 280mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2685A
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2686
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2686A
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2687
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 180mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2688
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 180mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N2690
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 180mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N3002LEADFREE
中文翻译 品牌: CENTRAL |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 60V V(RRM), 1 Element, TO-18 | 栅 栅极 | |||
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2N3004
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 250mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N3004LEADFREE
中文翻译 品牌: CENTRAL |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 200V V(RRM), 1 Element, TO-18 | 栅 栅极 | |||
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2N3006
中文翻译 品牌: TI |
0.35A, 60V, SCR, TO-18 | 栅 栅极 | |||
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2N3006
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 250mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N3006
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans GP BJT NPN 15V 3-Pin TO-18 Box | 栅 小信号双极晶体管 栅极 | |||
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2N3006LEADFREE
中文翻译 品牌: CENTRAL |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 60V V(RRM), 1 Element, TO-18 | 栅极 |