品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IPB029N06N3GE8187ATMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-2 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IPB042N10N3GE8187ATMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFF130
中文翻译 品牌: GE |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFF131
中文翻译 品牌: GE |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRFF132
中文翻译 品牌: GE |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRFF133
中文翻译 品牌: GE |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 | |||
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PPF5305GE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2 | 晶体管 | |||
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PPF9130GE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2 | 晶体管 | |||
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PPF9140GE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2 | 晶体管 | |||
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PPF9230GE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2 | 晶体管 | |||
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PPFC30GE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2 | 晶体管 | |||
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PPFL2203GE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2 | 晶体管 | |||
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PPFL3103GE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2 | 晶体管 | |||
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RFM10N12
中文翻译 品牌: GE |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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RFM10N15
中文翻译 品牌: GE |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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RFM10P12
中文翻译 品牌: GE |
P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS p沟道增强 - 型功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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RFM10P15
中文翻译 品牌: GE |
P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS p沟道增强 - 型功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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RFP10N12
中文翻译 品牌: GE |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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RFP10N15
中文翻译 品牌: GE |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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RFP10P12
中文翻译 品牌: GE |
P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS p沟道增强 - 型功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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RFP10P15
中文翻译 品牌: GE |
P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS p沟道增强 - 型功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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S7635DP-T1-GE3
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 26 A, 20 V, 0.0049 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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SI1402DH-T1-GE3
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, | ||||
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SI1470DH-T1-GE3
中文翻译 品牌: VISHAY |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET N沟道30 V (D -S )的MOSFET |
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SI1473DH-T1-GE3
中文翻译 品牌: VISHAY |
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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SI1499DH-T1-GE3
中文翻译 品牌: VISHAY |
P-CHANNEL 1.5V (G-S) MOSFET - Tape and Reel | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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SI2305DS-T1-GE3
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 3.5 A, 8 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power | 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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SI2309CDS-T1-GE3
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET P通道60 -V (D -S )的MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 光电二极管 PC | ||
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SI2342DS-T1-GE3
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 6 A, 8 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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SI3410DV-T1-GE3
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 8 A, 30 V, 0.0195 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET General Purpose Power | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 |