1A1 Ge - 型号起始 - 栅极; 总记录数：64

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		2N3228 中文翻译品牌: GE	5-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 5 -A可控硅整流器	栅极可控硅整流器局域网
		2N3525 中文翻译品牌: GE	5-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 5 -A可控硅整流器	栅极可控硅整流器局域网
		2N4101 中文翻译品牌: GE	5-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 5 -A可控硅整流器	栅极可控硅整流器
		C106A 中文翻译品牌: GE	4-A Sensitive-Gate Silicon Controlled Rectifiers 4 -A敏感栅可控硅整流器	栅极可控硅整流器
		C106B 中文翻译品牌: GE	4-A Sensitive-Gate Silicon Controlled Rectifiers 4 -A敏感栅可控硅整流器	栅极可控硅整流器
		C106D 中文翻译品牌: GE	4-A Sensitive-Gate Silicon Controlled Rectifiers 4 -A敏感栅可控硅整流器	栅极可控硅整流器局域网
		C106M 中文翻译品牌: GE	4-A Sensitive-Gate Silicon Controlled Rectifiers 4 -A敏感栅可控硅整流器	栅极可控硅整流器
		EPA4271GE-LF 中文翻译品牌: PCA	Gate Drive Transformer 栅极驱动变压器	变压器栅极栅极驱动
		MAC15-10 中文翻译品牌: GE	15-A Silicon Triacs 15 -A硅双向可控硅	栅极可控硅三端双向交流开关局域网
		MAC15-4 中文翻译品牌: GE	15-A Silicon Triacs 15 -A硅双向可控硅	栅极可控硅三端双向交流开关
		SI1077X-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):20V;最大导通阻抗Ron(mΩ):78 mOhm @ 1.8A, 4.5V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):31.1nC @ 8V;最大耗散功率Pd(W):330mW (Ta);栅源耐压Vgs(V):±8V;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃	栅栅极
		SI1308EDL-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):30 V ;额定电流Id(A):1.4A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):132 毫欧 @ 1.4A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):4.1 nC @	栅栅极
		SI2304DDS-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):3.3A（Ta），3.6A（Tc）;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):6.7nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):1.1W（Ta），1.7W（Tc）;栅源耐压Vgs(V):2.2V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温	栅栅极
		SI2312BDS-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):3.9A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):31 mOhm @ 5A, 4.5V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):12nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):750mW (Ta);栅源耐压Vgs(V):±8V;最小工作温度(	栅栅极
		SI2319DS-T1-GE3 中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):40 V ;额定电流Id(A):2.3A（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):82 毫欧 @ 3A，10V ;类型:P 通道 ;栅极电荷Qg(nC):17 nC @ 10	栅栅极
		SI2347DS-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):5A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):42 mOhm @ 3.8A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):22nC @	栅栅极
		SI2369DS-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):7.6A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):29 mOhm @ 5.4A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):36nC	栅栅极
		SI2377EDS-T1-GE3 中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):4.4A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):61 mOhm @ 3.2A, 4.5V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):21n	栅栅极
		SI3429EDV-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):8A (Ta), 8A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):21 mOhm @ 4A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC)	栅栅极
		SI4174DY-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):30 V ;额定电流Id(A):17A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):9.5 毫欧 @ 10A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):27 nC @ 10	栅栅极
		SI4378DY-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):19A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):2.7 mOhm @ 25A, 4.5V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):55nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):1.6W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±12V;最小工作温度	栅栅极
		SI4431CDY-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):9A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):32 mOhm @ 7A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):38nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta), 4.2W (Tc);栅源耐压Vgs(V):±20V;	栅栅极
		SI4848DY-T1-GE3 中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):150 V ;额定电流Id(A):2.7A（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):85 毫欧 @ 3.5A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):21 nC @ 1	栅栅极
		SI7101DN-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):35A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):7.2 mOhm @ 15A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):102nC	栅栅极
		SI7113ADN-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):100 V ;额定电流Id(A):10.8A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):132 毫欧 @ 3.8A，10V ;类型:P 通道 ;栅极电荷Qg(nC):16.5	栅栅极
		SI7370DP-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):60 V ;额定电流Id(A):9.6A（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):11 毫欧 @ 12A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):57 nC @ 10	栅栅极
		SI7461DP-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):8.6A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):14.5 mOhm @ 14.4A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):1	栅栅极
		SI7463ADP-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):40V;额定电流Id(A):46A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):10 mOhm @ 15A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):144nC	栅栅极
		SI7615ADN-T1-GE3 中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):35A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):4.4 mOhm @ 20A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):183nC	栅栅极
		SIA817EDJ-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):4.5A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):65 mOhm @ 3A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):23nC @	栅栅极

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