品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BR24G128FVT-3GE2
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路 | ||
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EDE2508ABSE-GE
中文翻译 品牌: ELPIDA |
256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM 256M位DDR2 SDRAM用于Hyper DIMM |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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EDE2508ABSE-GE-E
中文翻译 品牌: ELPIDA |
256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM 256M位DDR2 SDRAM用于Hyper DIMM |
动态存储器 双倍数据速率 | ||
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EDE2516ABSE-GE
中文翻译 品牌: ELPIDA |
256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM 256M位DDR2 SDRAM用于Hyper DIMM |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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EDE2516ABSE-GE-E
中文翻译 品牌: ELPIDA |
256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM 256M位DDR2 SDRAM用于Hyper DIMM |
存储 内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
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GS81302D06GE-400
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D06GE-400I
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D06GE-400IT
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D06GE-400T
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D06GE-450
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.37ns, CMOS, PBGA165, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D06GE-450IT
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.37ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D06GE-500T
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.37ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D07GE-333
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D07GE-333I
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D07GE-333T
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D07GE-375
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D07GE-375IT
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D07GE-375T
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D07GE-450
中文翻译 品牌: GSI |
144Mb SigmaQuad-IITM Burst of 4 SRAM | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D08GE-375I
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D08GE-375IT
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D09GE-200I
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 | |||
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GS81302D09GE-200T
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D09GE-250I
中文翻译 品牌: GSI |
165 BGA | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D09GE-333T
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D09GE-350IT
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D10GE-350IT
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D10GE-400
中文翻译 品牌: GSI |
144Mb SigmaQuad-IITM Burst of 4 SRAM | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D10GE-450
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX9, 0.37ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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GS81302D10GE-450I
中文翻译 品牌: GSI |
DDR SRAM, 16MX9, 0.37ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 |