1A3 Ge - 型号起始 - 场效应晶体管; 总记录数：1506

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		2N7002-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	开关光电二极管晶体管
		2N7002E-T1-GE3 中文翻译品牌: VISHAY	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET N沟道60 V （D -S ）的MOSFET	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
		2N7002K-T1-GE3 EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET N通道60 -V （D -S ）的MOSFET	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
		3N204 中文翻译品牌: GE	Silicon Dual Insulated-Gate Field-Effect Transistors 硅双绝缘栅场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管栅
		3N205 中文翻译品牌: GE	Silicon Dual Insulated-Gate Field-Effect Transistors 硅双绝缘栅场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管栅
		3N206 中文翻译品牌: GE	Silicon Dual Insulated-Gate Field-Effect Transistors 硅双绝缘栅场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管栅
		GE4953 中文翻译品牌: ETC	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P沟道MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管
		IPB029N06N3GE8187ATMA1 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-2	开关脉冲晶体管
		IPB042N10N3GE8187ATMA1 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3	开关脉冲晶体管
		IRFF110 中文翻译品牌: GE	Power MOS Field-Effect Transistors 功率MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲
		IRFF111 中文翻译品牌: GE	Power MOS Field-Effect Transistors 功率MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管
		IRFF112 中文翻译品牌: GE	Power MOS Field-Effect Transistors 功率MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管脉冲
		IRFF113 中文翻译品牌: GE	Power MOS Field-Effect Transistors 功率MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管脉冲
		IRFF120 中文翻译品牌: GE	N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors N沟道增强型功率MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲
		IRFF121 中文翻译品牌: GE	N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors N沟道增强型功率MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管脉冲
		IRFF122 中文翻译品牌: GE	N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors N沟道增强型功率MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管
		IRFF123 中文翻译品牌: GE	N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors N沟道增强型功率MOS场效应晶体管	晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲
		IRFF130 中文翻译品牌: GE	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFF131 中文翻译品牌: GE	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管
		IRFF132 中文翻译品牌: GE	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管
		IRFF133 中文翻译品牌: GE	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
		PPF5305GE3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2	晶体管
		PPF9130GE3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2	晶体管
		PPF9140GE3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2	晶体管
		PPF9230GE3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2	晶体管
		PPFC30GE3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2	晶体管
		PPFL2203GE3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2	晶体管
		PPFL3103GE3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERPACK-2	晶体管
		RFM10N12 中文翻译品牌: GE	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管
		RFM10N15 中文翻译品牌: GE	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网

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