| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4730
中文翻译 品牌: FS |
PD : 1000; Vz(nor) : 3.9; Package : DO-41 Glass; | 光电二极管 | |||
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1N4730A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 3.9; VZ @ IZT (Min) : 3.71; VZ @ IZT (Max) : 4.09; IR (uA) : 50; VR (V) : 1; | 光电二极管 | |||
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1N4730A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:50μA@1V;额定稳压值(Vz):3.9V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4730ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4730CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4730CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4730E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4730P/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4731
中文翻译 品牌: FS |
PD : 1000; Vz(nor) : 4.3; Package : DO-41 Glass; | 光电二极管 | |||
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1N4731A
中文翻译 品牌: RENESAS |
稳压精度:±5% ;最大耗散功率（PD）:1 W ;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V ;额定稳压值(Vz):4.3 V ;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4731A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 4.3; VZ @ IZT (Min) : 4.09; VZ @ IZT (Max) : 4.51; IR (uA) : 10; VR (V) : 1; | 光电二极管 | |||
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1N4731APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4731ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4731A_S00Z
中文翻译 品牌: ONSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4731P/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4731PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4732
中文翻译 品牌: FS |
PD : 1000; Vz(nor) : 4.7; Package : DO-41 Glass; | 光电二极管 | |||
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1N4732A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 4.7; VZ @ IZT (Min) : 4.47; VZ @ IZT (Max) : 4.93; IR (uA) : 10; VR (V) : 1; | 光电二极管 | |||
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1N4732AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4732ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5% ;最大耗散功率（PD）:1 W ;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V ;额定稳压值(Vz):4.7 V ;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4732A_S00Z
中文翻译 品牌: ONSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4732CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4732CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4732CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4733
中文翻译 品牌: FS |
PD : 1000; Vz(nor) : 5.1; Package : DO-41 Glass; | 光电二极管 | |||
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1N4733A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 5.1; VZ @ IZT (Min) : 4.86; VZ @ IZT (Max) : 5.34; IR (uA) : 10; VR (V) : 1; | 光电二极管 | |||
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1N4733A-G-PEC
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:10μA@1V;额定稳压值(Vz):5.1V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4733A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:10μA@1V;额定稳压值(Vz):5.1V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4733AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4733APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |