| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4732AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4732ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5% ;最大耗散功率（PD）:1 W ;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V ;额定稳压值(Vz):4.7 V ;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4732A_S00Z
中文翻译 品牌: ONSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4732CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4732CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4732CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
Total:61
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