品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4733A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 5.1; VZ @ IZT (Min) : 4.86; VZ @ IZT (Max) : 5.34; IR (uA) : 10; VR (V) : 1; | 光电二极管 | |||
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1N4733A-G-PEC
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率(PD):1W;反向电流(Ir):10μA@1V;额定稳压值(Vz):5.1V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4733A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率(PD):1W;反向电流(Ir):10μA@1V;额定稳压值(Vz):5.1V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4733AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4733APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4733APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
Total:61
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