| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4735
中文翻译 品牌: FS |
PD : 1000; Vz(nor) : 6.2; Package : DO-41 Glass; | 光电二极管 | |||
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1N4735A
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:10μA@3V;额定稳压值(Vz):6.2V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4735A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 6.2; VZ @ IZT (Min) : 5.9; VZ @ IZT (Max) : 6.5; IR (uA) : 10; VR (V) : 3; | 光电二极管 | |||
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1N4735A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:10μA@3V;额定稳压值(Vz):6.2V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4735APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4735ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;最大动态阻抗（Zzt）:2 Ohms;反向电流（Ir）:10µA @ 3V;额定稳压值(Vz):6.2V;元器件封装:DO-204; | 光电二极管 | |||
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1N4735A_S00Z
中文翻译 品牌: ONSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4735CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4735CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4735CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4735E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4735P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4735PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
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