型号等于:1N4736 (40) 1N4736A (43) 1N4736B (4) 1N4736C (6) 1N4736D (6) 1N4736G (3) 1N4736P (1)
型号起始:1N4736* (268) 1N4736 * (1) 1N4736-* (5) 1N4736A* (129) 1N4736B* (4) 1N4736C* (33) 1N4736D* (31) 1N4736E* (1) 1N4736G* (7) 1N4736H* (1) 1N4736P* (8) 1N4736U* (8)
所属品牌:不限 MICROSEMI(83) MCC(20) MOTOROLA(15) VISHAY(10) ONSEMI(9) CENTRAL(7) DIGITRON(7) FAIRCHILD(7) EIC(6) PANJIT(6) NJSEMI(5) NXP(5) BL Galaxy Electrical(3) DIODES(3) LRC(3) RECTRON(3) SURGE(3) TAK_CHEONG(3) COMCHIP(2) DIOTECH(2) FRONTIER(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) SECOS(2) SEMTECH(2) SENSITRON(2) SWST(2) WON-TOP(2) WTE(2) ANBON(1) CDIL(1)
功能分类:不限 测试(143) 二极管(151) 稳压二极管(33) 齐纳二极管(55) 局域网(10) 稳压器(5) 开关(1) 可编程只读存储器(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N4736A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT
最大耗散功率(PD):1W;反向电流(Ir):5μA@4V;额定稳压值(Vz):6.8V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4736ABKPBFREE
中文翻译 品牌: CENTRAL
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4736AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4736APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4736ATA
中文翻译 品牌: SMC
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4736CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4736CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4736P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4736PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4736PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
Total:101
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