型号等于:1N4737 (40) 1N4737A (43) 1N4737B (1) 1N4737C (6) 1N4737D (3) 1N4737G (4) 1N4737P (1)
型号起始:1N4737* (255) 1N4737 * (1) 1N4737-* (4) 1N4737/* (1) 1N4737A* (135) 1N4737B* (1) 1N4737C* (24) 1N4737D* (27) 1N4737G* (7) 1N4737P* (6) 1N4737U* (9)
所属品牌:不限 MICROSEMI(69) MCC(15) MOTOROLA(12) ONSEMI(11) VISHAY(11) CENTRAL(10) PANJIT(8) DIGITRON(6) EIC(6) FAIRCHILD(5) NJSEMI(5) NXP(4) RECTRON(4) BL Galaxy Electrical(3) DIODES(3) FRONTIER(3) GOOD-ARK(3) LRC(3) TAK_CHEONG(3) WTE(3) COMCHIP(2) DIOTECH(2) LGE(2) SECOS(2) SEMTECH(2) SURGE(2) SWST(2) WON-TOP(2) ANBON(1) CDIL(1) CHENMKO(1)
功能分类:不限 测试(123) 二极管(126) 稳压二极管(33) 齐纳二极管(53) 局域网(11) 稳压器(6) 开关(2)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N4737A-TAP
中文翻译 品牌: VISHAY
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1.3 W;反向电流(Ir):10 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.51 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4737AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4737APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4737ATA
中文翻译 品牌: SMC
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1W;最大动态阻抗(Zzt):4 Ohms;反向电流(Ir):10µA @ 5V;额定稳压值(Vz):7.5V;元器件封装:DO-204; 光电二极管
1N4737CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4737CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4737P/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4737P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4737PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4737PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
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