| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4739
中文翻译 品牌: FS |
PD : 1000; Vz(nor) : 9.1; Package : DO-41 Glass; | 光电二极管 | |||
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1N4739A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 9.1; VZ @ IZT (Min) : 8.66; VZ @ IZT (Max) : 9.54; IR (uA) : 10; VR (V) : 7; | 光电二极管 | |||
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1N4739A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:500nA@7V;额定稳压值(Vz):9.1V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4739AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4739AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4739APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4739ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;最大动态阻抗（Zzt）:5 Ohms;反向电流（Ir）:10µA @ 7V;额定稳压值(Vz):9.1V;元器件封装:DO-204; | 光电二极管 | |||
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1N4739CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4739CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4739E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4739P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4739PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4739PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
Total:131
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