| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4740
中文翻译 品牌: FS |
PD : 1000; Vz(nor) : 10.0; Package : DO-41 Glass; | 光电二极管 | |||
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1N4740A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 10; VZ @ IZT (Min) : 9.52; VZ @ IZT (Max) : 10.48; IR (uA) : 10; VR (V) : 7.6; | 光电二极管 | |||
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1N4740A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:500nA 7.6V;额定稳压值(Vz):10V; | 光电二极管 | |||
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1N4740A-TAP
中文翻译 品牌: VISHAY |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1.3 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4740AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;最大动态阻抗（Zzt）:7 Ohms;反向电流（Ir）:10µA @ 7.6V;额定稳压值(Vz):10V;元器件封装:DO-204; | 光电二极管 | ||
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1N4740CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740CPE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4741
中文翻译 品牌: FS |
PD : 1000; Vz(nor) : 11.0; Package : DO-41 Glass; | 光电二极管 | |||
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1N4741A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 11; VZ @ IZT (Min) : 10.47; VZ @ IZT (Max) : 11.53; IR (uA) : 5; VR (V) : 8.4; | 光电二极管 | |||
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1N4741A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100nA@8.4V;额定稳压值(Vz):11V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4741AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4741APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4741CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4741CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4741CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4741CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4741E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4741P/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4741P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4741PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742
中文翻译 品牌: FS |
PD : 1000; Vz(nor) : 12.0; Package : DO-41 Glass; | 光电二极管 |