品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4740
中文翻译 品牌: FS |
PD : 1000; Vz(nor) : 10.0; Package : DO-41 Glass; | 光电二极管 | |||
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1N4740A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 10; VZ @ IZT (Min) : 9.52; VZ @ IZT (Max) : 10.48; IR (uA) : 10; VR (V) : 7.6; | 光电二极管 | |||
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1N4740A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1W;反向电流(Ir):500nA 7.6V;额定稳压值(Vz):10V; | 光电二极管 | |||
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1N4740A-TAP
中文翻译 品牌: VISHAY |
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1.3 W;反向电流(Ir):10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4740AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1W;最大动态阻抗(Zzt):7 Ohms;反向电流(Ir):10µA @ 7.6V;额定稳压值(Vz):10V;元器件封装:DO-204; | 光电二极管 | ||
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1N4740CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740CPE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4740PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):10 µA @ 7.6 V;额定稳压值(Vz):10 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
Total:161
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