型号等于:1N4741 (40) 1N4741A (47) 1N4741B (3) 1N4741C (5) 1N4741D (6) 1N4741G (3) 1N4741P (1)
型号起始:1N4741* (240) 1N4741 * (1) 1N4741-* (4) 1N4741A* (111) 1N4741B* (3) 1N4741C* (31) 1N4741D* (27) 1N4741E* (1) 1N4741G* (6) 1N4741P* (8) 1N4741U* (8)
所属品牌:不限 MICROSEMI(76) MCC(15) MOTOROLA(13) VISHAY(10) ONSEMI(9) EIC(6) CENTRAL(5) DIGITRON(5) DIODES(5) NJSEMI(4) BL Galaxy Electrical(3) FRONTIER(3) LRC(3) PANJIT(3) RECTRON(3) SURGE(3) DIOTECH(2) FAIRCHILD(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) NXP(2) SECOS(2) SEMTECH(2) SWST(2) TAK_CHEONG(2) TSC(2) WON-TOP(2) WTE(2) ANBON(1) CDIL(1) COMCHIP(1)
功能分类:不限 测试(157) 二极管(133) 稳压二极管(35) PC(43) 齐纳二极管(50) 局域网(10) 稳压器(4) 开关(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N4741A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT
最大耗散功率(PD):1W;反向电流(Ir):100nA@8.4V;额定稳压值(Vz):11V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4741AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4741APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4741CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4741CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4741CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4741CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4741E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4741P/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4741P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4741PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 8.4 V;额定稳压值(Vz):11 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
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