| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4742A,113
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
稳压精度:±5% ;最大耗散功率（PD）:1 W ;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V ;额定稳压值(Vz):12 V ;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4742A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100nA@9.1V;额定稳压值(Vz):12V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742A_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100nA 9.1V;额定稳压值(Vz):12V; | 光电二极管 | |||
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1N4742A_S00Z
中文翻译 品牌: ONSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742P/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4742PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
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