型号等于:1N4749 (40) 1N4749A (47) 1N4749B (3) 1N4749C (8) 1N4749D (4) 1N4749G (3) 1N4749P (1)
型号起始:1N4749* (267) 1N4749 * (1) 1N4749-* (5) 1N4749/* (1) 1N4749A* (132) 1N4749B* (3) 1N4749C* (34) 1N4749D* (27) 1N4749E* (1) 1N4749G* (7) 1N4749P* (8) 1N4749U* (8)
所属品牌:不限 MICROSEMI(74) MOTOROLA(18) MCC(17) ONSEMI(11) VISHAY(11) WTE(8) CENTRAL(7) DIGITRON(6) EIC(6) NJSEMI(5) DIODES(4) FAIRCHILD(4) FRONTIER(4) NXP(4) TAK_CHEONG(4) BL Galaxy Electrical(3) GOOD-ARK(3) LRC(3) SURGE(3) CHENMKO(2) COMCHIP(2) DIOTECH(2) LGE(2) PANJIT(2) RECTRON(2) SECOS(2) SEMTECH(2) SWST(2) TSC(2) WON-TOP(2) ANBON(1)
功能分类:不限 测试(143) 二极管(135) 齐纳二极管(57) 稳压二极管(34) 局域网(11) 稳压器(5) 开关(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N4749A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT
最大耗散功率(PD):1W;反向电流(Ir):100nA 18.2V;额定稳压值(Vz):24V; 光电二极管
1N4749AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749ATA
中文翻译 品牌: SMC
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1W;最大动态阻抗(Zzt):25 Ohms;反向电流(Ir):5µA @ 18.2V;额定稳压值(Vz):24V;元器件封装:DO-204; 光电二极管
1N4749A_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT
最大耗散功率(PD):1W;反向电流(Ir):100nA 18.2V;额定稳压值(Vz):24V; 光电二极管
1N4749CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749CPE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749P/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
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