型号等于:1N4749C (16) 1N4749CG (2) 1N4749CP (1)
型号起始:1N4749C* (42) 1N4749C-* (2) 1N4749CB* (1) 1N4749CG* (4) 1N4749CP* (8) 1N4749CR* (3) 1N4749CT* (1) 1N4749CU* (7)
所属品牌:不限 MICROSEMI(19) MOTOROLA(4) CENTRAL(2) EIC(2) MCC(2) ONSEMI(2) DIGITRON(1) DIODES(1) NJSEMI(1)
功能分类:不限 测试(16) 二极管(19) 齐纳二极管(4) 稳压二极管(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N4749CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749CPE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4749CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 18.2 V;额定稳压值(Vz):24 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
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