| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4750A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100nA 20.6V;额定稳压值(Vz):27V; | 光电二极管 | |||
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1N4750AP-TP
中文翻译 品牌: MCC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:5μA@20.6V;额定稳压值(Vz):27V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4750AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 20.6 V;额定稳压值(Vz):27 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4750APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 20.6 V;额定稳压值(Vz):27 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4750APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 20.6 V;额定稳压值(Vz):27 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4750ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;最大动态阻抗（Zzt）:35 Ohms;反向电流（Ir）:5µA @ 12.2V;额定稳压值(Vz):27V;元器件封装:DO-204; | 光电二极管 | |||
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1N4750CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 20.6 V;额定稳压值(Vz):27 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4750CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 20.6 V;额定稳压值(Vz):27 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4750CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 20.6 V;额定稳压值(Vz):27 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4750CPE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 20.6 V;额定稳压值(Vz):27 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4750CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 20.6 V;额定稳压值(Vz):27 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4750E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 20.6 V;额定稳压值(Vz):27 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4750P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 20.6 V;额定稳压值(Vz):27 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4750PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 20.6 V;额定稳压值(Vz):27 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100nA@22.8V;额定稳压值(Vz):30V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751A-TAP
中文翻译 品牌: VISHAY |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1.3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4751AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;最大动态阻抗（Zzt）:40 Ohms;反向电流（Ir）:5µA @ 22.8V;额定稳压值(Vz):30V;元器件封装:DO-204; | 光电二极管 | |||
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1N4751CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751CPE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751P/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4751PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |