| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4752A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100nA@25.1V;额定稳压值(Vz):33V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;最大动态阻抗（Zzt）:45 Ohms;反向电流（Ir）:5µA @ 25.1V;额定稳压值(Vz):33V;元器件封装:DO-204; | 光电二极管 | |||
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1N4752CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752CPE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752P/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4752PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 25.1 V;额定稳压值(Vz):33 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
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