型号等于:1N4754 (40) 1N4754A (43) 1N4754B (3) 1N4754C (5) 1N4754D (3) 1N4754G (3) 1N4754P (1)
型号起始:1N4754* (253) 1N4754 * (1) 1N4754-* (5) 1N4754/* (1) 1N4754A* (118) 1N4754B* (3) 1N4754C* (32) 1N4754D* (28) 1N4754E* (1) 1N4754G* (7) 1N4754H* (1) 1N4754P* (9) 1N4754U* (7)
所属品牌:不限 MICROSEMI(79) MCC(15) MOTOROLA(13) CENTRAL(10) DIODES(9) WTE(8) VISHAY(7) DIGITRON(6) EIC(6) FRONTIER(5) ONSEMI(5) NJSEMI(4) RECTRON(4) BL Galaxy Electrical(3) LRC(3) SURGE(3) TAK_CHEONG(3) COMCHIP(2) DIOTECH(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) PANJIT(2) SECOS(2) SEMTECH(2) SENSITRON(2) SWST(2) TSC(2) WON-TOP(2) ANBON(1) CDIL(1) CZSTARSEA(1)
功能分类:不限 测试(127) 二极管(133) 稳压二极管(35) PC(49) 齐纳二极管(52) 局域网(10) 稳压器(5) 开关(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N4754AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4754ATA
中文翻译 品牌: SMC
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4754CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4754CPE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4754CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4754E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4754P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4754PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4754PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 29.7 V;额定稳压值(Vz):39 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
Total:91
总9条记录,每页显示30条记录分1页显示。