| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4755ABKPBFREE
中文翻译 品牌: CENTRAL |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4755AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4755AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4755APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4755APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4755CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4755CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4755CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4755E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4755P/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4755P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4755PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4755PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
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