| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4756A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 47; VZ @ IZT (Min) : 44.65; VZ @ IZT (Max) : 49.35; IR (uA) : 5; VR (V) : 35.8; | 光电二极管 | |||
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1N4756A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100nA@35.8V;额定稳压值(Vz):47V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4756ABKPBFREE
中文翻译 品牌: CENTRAL |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 35.8 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4756AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 35.8 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4756AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 35.8 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4756APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 35.8 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4756ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;最大动态阻抗（Zzt）:80 Ohms;反向电流（Ir）:5µA @ 35.8V;额定稳压值(Vz):47V;元器件封装:DO-204; | 光电二极管 |
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