型号等于:1N4756C (12) 1N4756CG (2) 1N4756CP (1)
型号起始:1N4756C* (39) 1N4756C-* (1) 1N4756CG* (5) 1N4756CL* (1) 1N4756CP* (10) 1N4756CR* (2) 1N4756CT* (1) 1N4756CU* (7)
所属品牌:不限 MICROSEMI(22) CENTRAL(2) EIC(2) ONSEMI(2) DIGITRON(1) DIODES(1) MCC(1) MOTOROLA(1) NJSEMI(1)
功能分类:不限 测试(24) 二极管(23) 齐纳二极管(8) 稳压二极管(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N4756CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 35.8 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4756CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 35.8 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4756CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 35.8 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4756CPE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 35.8 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
1N4756CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1 W;反向电流(Ir):5 µA @ 35.8 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
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