| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4757A
中文翻译 品牌: dowosemi |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100nA@38.8V;额定稳压值(Vz):51V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4757A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100nA 38.8V;额定稳压值(Vz):51V; | 光电二极管 | |||
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1N4757AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4757AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4757APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4757APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4757ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
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