| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4759A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 62; VZ @ IZT (Min) : 58.9; VZ @ IZT (Max) : 65.1; IR (uA) : 5; VR (V) : 47.1; | 光电二极管 | |||
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1N4759A-G_AY_10001
中文翻译 品牌: PANJIT |
最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100nA@47.1V;额定稳压值(Vz):62V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4759A-TAP
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
稳压精度:±5% ;最大耗散功率（PD）:1.3 W ;反向电流（Ir）:5 µA @ 47.1 V ;额定稳压值(Vz):62 V ;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4759ABKPBFREE
中文翻译 品牌: CENTRAL |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4759AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4759APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4759CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4759P/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4759PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
Total:91
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