| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4760AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4760AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4760APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4760APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4760ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4760CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4760CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4760E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4760PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4761ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4761CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4761CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4761CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4761CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4761E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4761P/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4762AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4762ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4762CPE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4762E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4762PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4763ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 69.2 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4763CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 69.2 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4763CPE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 69.2 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4763P/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 69.2 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764A
中文翻译 品牌: dowosemi |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100nA 76V;额定稳压值(Vz):100V; | 光电二极管 | |||
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1N4764AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4764CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |