| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4760A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41G; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 68; VZ @ IZT (Min) : 64.6; VZ @ IZT (Max) : 71.4; IR (uA) : 5; VR (V) : 51.7; | 光电二极管 | |||
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1N4760AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4760AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4760APE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4760APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4760ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |
Total:61
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