型号等于:1N533 (2) 1N5331 (1) 1N5332 (2) 1N5333 (4) 1N5334 (4) 1N5335 (4) 1N5336 (3) 1N5337 (3) 1N5338 (5) 1N5339 (5)
型号起始:1N533* (547) 1N5331* (6) 1N5332* (6) 1N5333* (68) 1N5334* (71) 1N5335* (71) 1N5336* (71) 1N5337* (72) 1N5338* (90) 1N5339* (90)
所属品牌:不限 MICROSEMI(246) ONSEMI(38) NJSEMI(36) DIGITRON(30) MOTOROLA(24) CENTRAL(15) EIC(15) LGE(14) WTE(13) MCC(12) STMICROELECTRONICS(10) FCI(8) ANBON(7) BL Galaxy Electrical(7) BOCA(7) DIOTECH(7) FORMOSA(7) FRONTIER(7) RECTRON(7) WON-TOP(7) PANJIT(6) SEMTECH(5) SUNMATE(4) SYNSEMI(3) KISEMICONDUCTOR(2) LITTELFUSE(2) SWST(2) TAITRON(2) VISHAY(2) ETC(1)
功能分类:不限 测试(291) 二极管(314) 齐纳二极管(125) 稳压二极管(75) 稳压器(16) 光电二极管(7) PC(2)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N5333BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 3.14; VZ Nom.(V) : 3.3; VZ Max.(V) : 3.47; IZ(mA) : 380; AEC-Q101Qualified : No; 光电二极管
1N5334AE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5334B/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5334BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 3.42; VZ Nom.(V) : 3.6; VZ Max.(V) : 3.78; IZ(mA) : 350; AEC-Q101Qualified : No; 光电二极管
1N5334BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5334BE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5334C/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5334CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5334E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5335B/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5335BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 3.71; VZ Nom.(V) : 3.9; VZ Max.(V) : 4.1; IZ(mA) : 320; AEC-Q101Qualified : No; 光电二极管
1N5335BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5335CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5335E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5336A/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5336AE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5336BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 4.09; VZ Nom.(V) : 4.3; VZ Max.(V) : 4.52; IZ(mA) : 290; AEC-Q101Qualified : No; 光电二极管
1N5336CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5336E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):10 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5337/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5337BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 4.47; VZ Nom.(V) : 4.7; VZ Max.(V) : 4.94; IZ(mA) : 260; AEC-Q101Qualified : No; 光电二极管
1N5337CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5337CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5337E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5337E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5338A/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5338BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 4.84; VZ Nom.(V) : 5.1; VZ Max.(V) : 5.36; IZ(mA) : 240; AEC-Q101Qualified : No; 光电二极管
1N5338C/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5338CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5338E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):1 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
Total:3512
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