| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N5334AE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | ||
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1N5334B/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | ||
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1N5334BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 3.42; VZ Nom.(V) : 3.6; VZ Max.(V) : 3.78; IZ(mA) : 350; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5334BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5334BE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5334C/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5334CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5334E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:150 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 |
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