型号等于:1N5335 (8) 1N5335A (5) 1N5335B (18) 1N5335C (3) 1N5335D (3)
型号起始:1N5335* (75) 1N5335/* (1) 1N5335A* (10) 1N5335B* (35) 1N5335C* (9) 1N5335D* (7) 1N5335E* (4) 1N5335T* (1)
所属品牌:不限 MICROSEMI(34) NJSEMI(5) ONSEMI(5) DIGITRON(4) CENTRAL(2) EIC(2) LGE(2) MOTOROLA(2) STMICROELECTRONICS(2) ANBON(1) BL Galaxy Electrical(1) BOCA(1) DIOTECH(1) FCI(1) FORMOSA(1) FRONTIER(1) PANJIT(1) RECTRON(1) SEMTECH(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类:不限 测试(39) 二极管(39) 齐纳二极管(18) 稳压二极管(9) 光电二极管(1) 稳压器(2)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N5335B/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5335BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 3.71; VZ Nom.(V) : 3.9; VZ Max.(V) : 4.1; IZ(mA) : 320; AEC-Q101Qualified : No; 光电二极管
1N5335BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5335CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5335E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):50 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
Total:51
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