型号等于：	1N536 (2) 1N5360 (3) 1N5361 (3) 1N5362 (3) 1N5363 (5) 1N5364 (4) 1N5365 (4) 1N5366 (4) 1N5367 (4) 1N5368 (4) 1N5369 (3)
型号起始：	1N536* (969) 1N5360* (98) 1N5361* (96) 1N5362* (99) 1N5363* (96) 1N5364* (99) 1N5365* (91) 1N5366* (99) 1N5367* (96) 1N5368* (96) 1N5369* (97)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(369) MCC(82) NJSEMI(51) ONSEMI(51) MOTOROLA(43) DIGITRON(40) DIODES(30) EIC(20) FRONTIER(20) LGE(20) SUNMATE(20) STMICROELECTRONICS(17) WTE(15) CENTRAL(14) PANJIT(11) ANBON(10) BL Galaxy Electrical(10) BOCA(10) DIOTEC(10) DIOTECH(10) ETC(10) FCI(10) FORMOSA(10) KISEMICONDUCTOR(10) RECTRON(10) SEMIKRON(10) SEMTECH(10) SWST(10) TRSYS(10) WON-TOP(10) TAITRON(7)
功能分类：	不限测试(450) 二极管(594) 齐纳二极管(263) 稳压二极管(148) IOT(51) 光电二极管(10) 稳压器(21) PC(9)

1N536 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：21

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1N5360BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 23.75; VZ Nom.(V) : 25; VZ Max.(V) : 26.25; IZ(mA) : 50; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5360BD5 中文翻译品牌: CITC	Product Category : Zener Diodes ;Spec : PD=5.0(W) , ZV=3.3~200V , VF=1.2V@200mA , TJ=-55 ~ +15	光电二极管
		1N5361BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 25.65; VZ Nom.(V) : 27; VZ Max.(V) : 28.35; IZ(mA) : 50; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5362B-BP 中文翻译品牌: MCC	最大耗散功率（PD）:5W;反向电流（Ir）:500nA@21.2V;额定稳压值(Vz):28V;元器件封装:DO-15;	光电二极管
		1N5362BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 26.6; VZ Nom.(V) : 28; VZ Max.(V) : 29.4; IZ(mA) : 50; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5363A/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363AE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363AE3/TR13 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363B/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 28.5; VZ Nom.(V) : 30; VZ Max.(V) : 31.5; IZ(mA) : 40; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5363BE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363C/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363CE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363E3/TR13 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5364BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 31.35; VZ Nom.(V) : 33; VZ Max.(V) : 34.65; IZ(mA) : 40; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5365BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 34.2; VZ Nom.(V) : 36; VZ Max.(V) : 37.8; IZ(mA) : 30; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5366BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 37.05; VZ Nom.(V) : 39; VZ Max.(V) : 40.95; IZ(mA) : 30; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5367BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 40.85; VZ Nom.(V) : 43; VZ Max.(V) : 45.15; IZ(mA) : 30; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5368BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 44.65; VZ Nom.(V) : 47; VZ Max.(V) : 49.35; IZ(mA) : 25; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5369BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 48.45; VZ Nom.(V) : 51; VZ Max.(V) : 53.55; IZ(mA) : 25; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管

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