1N5363 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：10

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1N5363A/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363AE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363AE3/TR13 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363B/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 28.5; VZ Nom.(V) : 30; VZ Max.(V) : 31.5; IZ(mA) : 40; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5363BE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363C/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363CE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5363E3/TR13 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18;	光电二极管

Total:101

总10条记录，每页显示30条记录分1页显示。

型号等于：	1N5363 (10) 1N5363A (5) 1N5363B (28) 1N5363C (4) 1N5363D (4)
型号起始：	1N5363* (101) 1N5363-* (2) 1N5363/* (1) 1N5363A* (12) 1N5363B* (52) 1N5363C* (11) 1N5363D* (9) 1N5363E* (3) 1N5363T* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(36) MCC(8) MOTOROLA(5) NJSEMI(5) ONSEMI(5) DIGITRON(4) DIODES(2) EIC(2) FRONTIER(2) LGE(2) STMICROELECTRONICS(2) SUNMATE(2) ANBON(1) BL Galaxy Electrical(1) BOCA(1) CENTRAL(1) DIOTEC(1) DIOTECH(1) ETC(1) FCI(1) FORMOSA(1) KISEMICONDUCTOR(1) PANJIT(1) RECTRON(1) SEMIKRON(1) SEMTECH(1) SWST(1) SYNSEMI(1) TAITRON(1) TRSYS(1) VISHAY(1)
功能分类：	不限测试(43) 二极管(56) 稳压二极管(16) 齐纳二极管(26) 光电二极管(1) 稳压器(2) PC(1)