型号等于:1N5363B (56) 1N5363BE (1) 1N5363BG (1) 1N5363BL (1)
型号起始:1N5363B* (80) 1N5363B(* (1) 1N5363B-* (4) 1N5363B/* (1) 1N5363BA* (1) 1N5363BE* (9) 1N5363BG* (1) 1N5363BL* (1) 1N5363BR* (4) 1N5363BT* (2)
所属品牌:不限 MICROSEMI(8) MCC(6) ONSEMI(5) DIODES(2) FRONTIER(2) MOTOROLA(2) STMICROELECTRONICS(2) SUNMATE(2) ANBON(1) BL Galaxy Electrical(1) BOCA(1) CENTRAL(1) DIGITRON(1) DIOTEC(1) DIOTECH(1) EIC(1) ETC(1) FCI(1) FORMOSA(1) KISEMICONDUCTOR(1) LGE(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) RECTRON(1) SEMIKRON(1) SEMTECH(1) SWST(1) TAITRON(1) TRSYS(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类:不限 稳压二极管(13) 二极管(25) 齐纳二极管(14) 测试(11) 光电二极管(1) 稳压器(2) PC(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N5363B/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5363BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 28.5; VZ Nom.(V) : 30; VZ Max.(V) : 31.5; IZ(mA) : 40; AEC-Q101Qualified : No; 光电二极管
1N5363BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):500 nA @ 21.6 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
Total:31
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