| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N5370BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 53.2; VZ Nom.(V) : 56; VZ Max.(V) : 58.8; IZ(mA) : 20; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5371BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 57; VZ Nom.(V) : 60; VZ Max.(V) : 63; IZ(mA) : 20; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5372BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 58.9; VZ Nom.(V) : 62; VZ Max.(V) : 65.1; IZ(mA) : 20; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5373BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 64.6; VZ Nom.(V) : 68; VZ Max.(V) : 71.4; IZ(mA) : 20; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5374A/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 54 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5374AE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 54 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | ||
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1N5374BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 71.25; VZ Nom.(V) : 75; VZ Max.(V) : 78.75; IZ(mA) : 20; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5374CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 54 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5375B/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 59 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5375BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 77.9; VZ Nom.(V) : 82; VZ Max.(V) : 86.1; IZ(mA) : 15; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5375CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 59 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5375E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 59 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5376AE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 63 V;额定稳压值(Vz):87 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5376B/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 63 V;额定稳压值(Vz):87 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5376BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 82.65; VZ Nom.(V) : 87; VZ Max.(V) : 91.35; IZ(mA) : 15; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5376E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 63 V;额定稳压值(Vz):87 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5377/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 65.5 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5377A/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 65.5 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | ||
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1N5377AE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 65.5 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5377B-TP
中文翻译 品牌: MCC |
最大耗散功率（PD）:5W;反向电流（Ir）:500nA@69.2V;额定稳压值(Vz):91V;元器件封装:DO-15; | 光电二极管 | ||
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1N5377BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 86.45; VZ Nom.(V) : 91; VZ Max.(V) : 95.55; IZ(mA) : 15; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5377CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 65.5 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5378A/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 72 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5378BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 95; VZ Nom.(V) : 100; VZ Max.(V) : 105; IZ(mA) : 12; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5378BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 72 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5378C/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 72 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5378CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 72 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5379AE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 79.2 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5379BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 104.5; VZ Nom.(V) : 110; VZ Max.(V) : 115.5; IZ(mA) : 12; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5379BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 79.2 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 |