| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N5380AE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 86.4 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5380B/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 86.4 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5380BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 114; VZ Nom.(V) : 120; VZ Max.(V) : 126; IZ(mA) : 10; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5380BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 86.4 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5380C/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 86.4 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | ||
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1N5380E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 86.4 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5381AE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 93.6 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5381BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 123.5; VZ Nom.(V) : 130; VZ Max.(V) : 136.5; IZ(mA) : 10; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5381BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 93.6 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5381C/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 93.6 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | ||
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1N5381CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 93.6 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5382/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5382A/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5382AE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5382B
中文翻译 品牌: CITC |
Product Category : Zener Diodes ;Spec : PD=5.0(W) , ZV=3.3~200V , VF=1.2V@200mA , TJ=-55 ~ +15 | 光电二极管 | |||
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1N5382B/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5382BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 133; VZ Nom.(V) : 140; VZ Max.(V) : 147; IZ(mA) : 8; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5382BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5382BE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5382CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5383/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5383AE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5383B/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5383BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA |
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 142.5; VZ Nom.(V) : 150; VZ Max.(V) : 157.5; IZ(mA) : 8; AEC-Q101Qualified : No; | 光电二极管 | |||
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1N5383BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5383BE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5383CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5383E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5383E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5383E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 |