型号等于:1N5381 (6) 1N5381A (4) 1N5381B (26) 1N5381C (4) 1N5381D (4)
型号起始:1N5381* (93) 1N5381/* (1) 1N5381A* (11) 1N5381B* (49) 1N5381C* (11) 1N5381D* (10) 1N5381E* (4) 1N5381T* (1)
所属品牌:不限 MICROSEMI(37) MCC(7) NJSEMI(5) ONSEMI(5) DIGITRON(4) MOTOROLA(3) CENTRAL(2) DIODES(2) EIC(2) FRONTIER(2) LGE(2) SUNMATE(2) ANBON(1) BL Galaxy Electrical(1) BOCA(1) DIOTEC(1) DIOTECH(1) ETC(1) FCI(1) FORMOSA(1) KISEMICONDUCTOR(1) PANJIT(1) RECTRON(1) SEMIKRON(1) SEMTECH(1) STMICROELECTRONICS(1) SWST(1) TRSYS(1) WON-TOP(1)
功能分类:不限 测试(56) 二极管(59) 齐纳二极管(24) 稳压二极管(14) 光电二极管(1) 稳压器(2)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N5381AE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):500 nA @ 93.6 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5381BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 123.5; VZ Nom.(V) : 130; VZ Max.(V) : 136.5; IZ(mA) : 10; AEC-Q101Qualified : No; 光电二极管
1N5381BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):500 nA @ 93.6 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5381C/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):500 nA @ 93.6 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5381CE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):500 nA @ 93.6 V;额定稳压值(Vz):130 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
Total:51
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