1N5382 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：9

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1N5382/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5382A/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5382AE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5382B 中文翻译品牌: CITC	Product Category : Zener Diodes ;Spec : PD=5.0(W) , ZV=3.3~200V , VF=1.2V@200mA , TJ=-55 ~ +15	光电二极管
		1N5382B/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5382BAD 中文翻译品牌: FORMOSA	Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 133; VZ Nom.(V) : 140; VZ Max.(V) : 147; IZ(mA) : 8; AEC-Q101Qualified : No;	光电二极管
		1N5382BE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5382BE3/TR13 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18;	光电二极管
		1N5382CE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 101 V;额定稳压值(Vz):140 V;元器件封装:T-18;	光电二极管

Total:91

总9条记录，每页显示30条记录分1页显示。

型号等于：	1N5382 (8) 1N5382A (6) 1N5382B (27) 1N5382C (4) 1N5382D (4)
型号起始：	1N5382* (89) 1N5382A* (13) 1N5382B* (45) 1N5382C* (10) 1N5382D* (8) 1N5382E* (4) 1N5382T* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(30) NJSEMI(5) ONSEMI(5) DIGITRON(4) MCC(4) MOTOROLA(4) CENTRAL(2) EIC(2) FRONTIER(2) LGE(2) LITTELFUSE(2) SUNMATE(2) ANBON(1) BL Galaxy Electrical(1) BOCA(1) DIODES(1) DIOTEC(1) DIOTECH(1) ETC(1) FCI(1) FORMOSA(1) KISEMICONDUCTOR(1) PANJIT(1) RECTRON(1) SEMIKRON(1) SEMTECH(1) STMICROELECTRONICS(1) SWST(1) SYNSEMI(1) TAITRON(1) TRSYS(1)
功能分类：	不限测试(48) 二极管(48) 齐纳二极管(24) 稳压二极管(16) 光电二极管(1) 稳压器(2)