型号等于:1N5383B (54) 1N5383BE (1) 1N5383BG (1) 1N5383BL (1)
型号起始:1N5383B* (79) 1N5383B(* (1) 1N5383B-* (6) 1N5383B/* (1) 1N5383BA* (1) 1N5383BE* (8) 1N5383BG* (1) 1N5383BL* (1) 1N5383BR* (3) 1N5383BT* (2) 1N5383B_* (1)
所属品牌:不限 MCC(8) MICROSEMI(6) ONSEMI(5) DIODES(3) FRONTIER(2) SEMIKRON(2) STMICROELECTRONICS(2) SUNMATE(2) ANBON(1) BL Galaxy Electrical(1) BOCA(1) DIGITRON(1) DIOTEC(1) DIOTECH(1) EIC(1) ETC(1) FCI(1) FORMOSA(1) KISEMICONDUCTOR(1) LGE(1) MOTOROLA(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) RECTRON(1) SEMTECH(1) SWST(1) TAITRON(1) TRSYS(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类:不限 稳压二极管(13) 二极管(27) 齐纳二极管(19) 测试(14) 稳压器(2) PC(2) 光电二极管(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1N5383B/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5383BAD
中文翻译 品牌: FORMOSA
Status : Active; Package : DO-201AD; PD(W) : 5; VZ Min.(V) : 142.5; VZ Nom.(V) : 150; VZ Max.(V) : 157.5; IZ(mA) : 8; AEC-Q101Qualified : No; 光电二极管
1N5383BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
1N5383BE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):5 W;反向电流(Ir):500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; 光电二极管
Total:41
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