| 型号等于： | 1N5383BE (2) 1N5383BE3 (1) 1N5383BEB (1) |
| 型号起始： | 1N5383BE* (9) 1N5383BE-* (3) 1N5383BE3* (3) 1N5383BEB* (1) |
| 所属品牌： | 不限 MCC(5) MICROSEMI(3) |
| 功能分类： | 不限 二极管(5) 齐纳二极管(4) 测试(4) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N5383BE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 | |||
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1N5383BE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 108 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:T-18; | 光电二极管 |
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