| 型号等于： | 20N06 (2) |
| 型号起始： | 20N0* (6) 20N03* (1) 20N06* (5) |
| 所属品牌： | 不限 PINGWEI(4) MOTOROLA(1) UMW(1) |
| 功能分类： | 不限 |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
20N03
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):21.8A;最大导通阻抗Ron(mΩ):7mΩ 10V,21.8A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):3.25W;栅源耐压Vgs(V):2V 250μA; | 栅 | |||
|
20N03L TO252
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):21.8A;最大导通阻抗Ron(mΩ):7mΩ 10V,21.8A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):3.25W;栅源耐压Vgs(V):2V 250μA; | 栅 | |||
|
20N06L TO252
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):35A;最大导通阻抗Ron(mΩ):31mΩ 10V,15A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):3W;栅源耐压Vgs(V):3V 250μA; | 栅 |
Total:31
总3条记录，每页显示30条记录分1页显示。