型号起始: | 20N03* (1) 20N03H* (1) |
所属品牌: | 不限 MOTOROLA(1) |
功能分类: | 不限 |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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20N03
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):21.8A;最大导通阻抗Ron(mΩ):7mΩ 10V,21.8A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):3.25W;栅源耐压Vgs(V):2V 250μA; | 栅 | |||
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20N03L TO252
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):21.8A;最大导通阻抗Ron(mΩ):7mΩ 10V,21.8A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):3.25W;栅源耐压Vgs(V):2V 250μA; | 栅 |
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