| 型号等于： | 20N06 (4) 20N06B (1) 20N06F (1) 20N06H (1) |
| 型号起始： | 20N06* (7) 20N06B* (1) 20N06F* (1) 20N06H* (1) |
| 所属品牌： | 不限 PINGWEI(4) UMW(1) |
| 功能分类： | 不限 |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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20N06L TO252
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):35A;最大导通阻抗Ron(mΩ):31mΩ 10V,15A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):3W;栅源耐压Vgs(V):3V 250μA; | 栅 |
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