| 型号等于： | 25N06 (2) |
| 型号起始： | 25N0* (9) 25N06* (9) |
| 所属品牌： | 不限 UTC(8) UMW(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(1) 晶体管(1) 功率场效应晶体管(1) 开关(1) 脉冲(1) 局域网(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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25N06G
中文翻译 品牌: PINGWEI |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):25A;最大导通阻抗Ron(mΩ):36mΩ 10V,10A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):50W;栅源耐压Vgs(V):3V 250μA; | 栅 | |||
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25N06L-TN3
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):35A;最大导通阻抗Ron(mΩ):31mΩ 10V,15A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):3W;栅源耐压Vgs(V):3V 250μA; | 栅 |
Total:21
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