2870 系列 - 型号起始 - 功率因数校正; 总记录数：237

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		CPFC2210 中文翻译品牌: SUMIDA	PFC Choke Coil PFC的扼流线圈\u003c SMD型： CPFC系列\u003e	功率因数校正
		FBA42060 中文翻译品牌: ONSEMI	用于单相升压功率因数校正的 PFC SPM® 45 系列	功率因数校正
		FPAB20BH60B EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	用于单相升压功率因数校正的 PFC SPM® 3 系列	功率因数校正光电二极管
		FPAB30BH60 EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	PFC SPM® 3 系列，用于单相升压 PFC	电动机控制功率因数校正光电二极管
		FPAB30BH60B EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	用于单相升压功率因数校正的 PFC SPM® 3 系列	局域网电动机控制功率因数校正光电二极管
		FPDB30PH60 中文翻译品牌: ONSEMI	用于两相无桥式功率因数校正的 PFC SPM® 3 系列	电动机控制功率因数校正光电二极管
		IDWD10G120C5 EDA模型中文翻译品牌: INFINEON	是1200 V、10 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或P	开关双极性晶体管功率因数校正肖特基二极管
		IDWD15G120C5 中文翻译品牌: INFINEON	是1200 V、15 A第五代CoolSiC?肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或P	开关双极性晶体管功率因数校正肖特基二极管
		IDWD20G120C5 中文翻译品牌: INFINEON	是1200 V、20 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或P	开关双极性晶体管功率因数校正肖特基二极管
		IDWD30G120C5 中文翻译品牌: INFINEON	是1200 V、30 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或P	开关双极性晶体管功率因数校正肖特基二极管
		IDWD40G120C5 中文翻译品牌: INFINEON	是1200 V、40 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或P	开关双极性晶体管功率因数校正肖特基二极管
		IPA60R060C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPA60R120C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS? C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS? CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPB60R040C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPB60R060C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPB60R099C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPB60R120C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPB60R180C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS? C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS? CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPDQ60R010S7A 中文翻译品牌: INFINEON	汽车级 600V CoolMOS™ S7A 超结 MOSFET 系列符合 AEC-Q101 标准，经优化后可显著降低导通损耗，具备高压超结 MOSFET 市场领域中的较低 RDS(on)。该系列产品具备前所未有的 RDS(on) 与价格优势，品质因数出色，尤为适用于高压电熔丝、高压电子断开装置和有源	电子高压功率因数校正电熔丝装置
		IPL60R065C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关脉冲功率因数校正晶体管
		IPL60R104C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS? C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS? CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPL60R125C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPP60R060C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPP60R120C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPT60R028G7 中文翻译品牌: INFINEON	CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V CoolMOS™ C7 Gold 技术优势、4 引脚开尔文源极能力以及 TO-Leadless(TOLL )封装改进热属性相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流硬开关拓扑应用以及诸如高端LLC等谐	开关脉冲功率因数校正晶体管
		IPT60R050G7 中文翻译品牌: INFINEON	CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V CoolMOS™ C7 Gold 技术优势、4 引脚开尔文源极能力以及 TO-Leadless(TOLL )封装改进热属性相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流硬开关拓扑应用以及诸如高端LLC等谐	开关功率因数校正
		IPT60R080G7 中文翻译品牌: INFINEON	CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V CoolMOS™ C7 Gold 技术优势、4 引脚开尔文源极能力以及 TO-Leadless(TOLL )封装改进热属性相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流硬开关拓扑应用以及诸如高端LLC等谐	开关脉冲功率因数校正晶体管
		IPT60R102G7 中文翻译品牌: INFINEON	CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V CoolMOS™ C7 Gold 技术优势、4 引脚开尔文源极能力以及 TO-Leadless(TOLL )封装改进热属性相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流硬开关拓扑应用以及诸如高端LLC等谐	开关脉冲功率因数校正晶体管
		IPT60R150G7 中文翻译品牌: INFINEON	CoolMOS? C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V CoolMOS? C7 Gold 技术优势、4 引脚开尔文源极能力以及 TO-Leadless(TOLL )封装改进热属性相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流硬开关拓扑应用以及诸如高端LLC等谐	开关功率因数校正
		IPW60R120C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS? C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS? CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正

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