2N35 - 型号起始 - 可控硅整流器; 总记录数：16

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2N3525 中文翻译品牌: GE	5-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 5 -A可控硅整流器	栅极可控硅整流器局域网
		2N3525 中文翻译品牌: NJSEMI	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 SPRINGFIELD ，新泽西州07081	栅极触发装置可控硅整流器局域网
		2N3528 中文翻译品牌: NJSEMI	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 SPRINGFIELD ，新泽西州07081	触发装置可控硅整流器
		2N3555 中文翻译品牌: SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN	栅栅极
		2N3555 中文翻译品牌: TI	2N3555	栅栅极
		2N3556 中文翻译品牌: TI	2N3556	栅栅极
		2N3557 中文翻译品牌: SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN	栅栅极
		2N3557 中文翻译品牌: TI	2N3557	栅栅极
		2N3558 中文翻译品牌: TI	2N3558	栅栅极
		2N3558 中文翻译品牌: SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN	栅栅极
		2N3559 中文翻译品牌: TI	2N3559	栅栅极
		2N3560 中文翻译品牌: SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 2.2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN
		2N3561 中文翻译品牌: SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN
		2N3561 中文翻译品牌: TI	2N3561
		2N3562 中文翻译品牌: SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN	栅栅极
		2N3562 中文翻译品牌: TI	2N3562	栅栅极

Total:161

总16条记录，每页显示30条记录分1页显示。

型号等于：	2N35 (2) 2N350 (1) 2N351 (1) 2N356 (1) 2N357 (1) 2N358 (1)
型号起始：	2N35* (232) 2N350* (100) 2N351* (5) 2N352* (4) 2N353* (4) 2N354* (15) 2N355* (22) 2N356* (22) 2N357* (13) 2N358* (37) 2N359* (8)
所属品牌：	不限 NJSEMI(42) CENTRAL(35) MICROSEMI(28) ETC(24) SEME-LAB(20) SEMICOA(20) TI(10) SSDI(7) RAYTHEON(6) BOCA(5) COMSET(4) FAIRCHILD(4) DIGITRON(3) ISC(3) MCC(3) MOSPEC(3) ONSEMI(3) ASI(2) MOTOROLA(2) NSC(2) SAVANTIC(2) GE(1) MICRO-ELECTRONICS(1) NXP(1)
功能分类：	不限晶体(138) 晶体管(143) 开关(50) 栅(10) 栅极(14) 局域网(25) 小信号双极晶体管(17) 装置(10) 放大器(12) 射频小信号双极晶体管(3) 光电二极管(2) 功率双极晶体管(5) CD(3) 高压(7) 双极型晶体管(1) 高电压电源(3) 可控硅整流器(3) 触发装置(2)