品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N3525
中文翻译 品牌: GE |
5-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 5 -A可控硅整流器 |
栅极 可控硅整流器 局域网 | |||
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2N3525
中文翻译 品牌: NJSEMI |
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 SPRINGFIELD ,新泽西州07081 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 局域网 | |||
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2N3555
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N3555
中文翻译 品牌: TI |
2N3555 | 栅 栅极 | |||
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2N3556
中文翻译 品牌: TI |
2N3556 | 栅 栅极 | |||
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2N3557
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N3557
中文翻译 品牌: TI |
2N3557 | 栅 栅极 | |||
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2N3558
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package 在一个密封TO39金属封装的双极NPNP设备 |
栅极 | |||
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2N3558
中文翻译 品牌: TI |
2N3558 | 栅 栅极 | |||
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2N3558
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N3559
中文翻译 品牌: TI |
2N3559 | 栅 栅极 | |||
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2N3562
中文翻译 品牌: SSDI |
Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N3562
中文翻译 品牌: TI |
2N3562 | 栅 栅极 | |||
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2N3562
中文翻译 品牌: NJSEMI |
SCR, V(DRM) = 200V TO 299.9V SCR ,V ( DRM ) = 200V至299.9V |
栅极 |
Total:141
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