品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N4322
中文翻译 品牌: ETC |
THYRISTOR|GTO|100V V(DRM)|TO-18
晶闸管| GTO | 100V V( DRM ) | TO- 18\n |
栅极 | |||
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2N4323
中文翻译 品牌: ETC |
THYRISTOR|GTO|150V V(DRM)|TO-18
晶闸管| GTO | 150V V( DRM ) | TO- 18\n |
栅极 | |||
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2N4324
中文翻译 品牌: ETC |
THYRISTOR|GTO|200V V(DRM)|TO-18
晶闸管| GTO | 200V V( DRM ) | TO- 18\n |
栅极 | |||
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2N4325
中文翻译 品牌: ETC |
THYRISTOR|GTO|250V V(DRM)|TO-18
晶闸管| GTO | 250V V( DRM ) | TO- 18\n |
栅极 | |||
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2N4326
中文翻译 品牌: ETC |
THYRISTOR|GTO|30V V(DRM)|TO-18
晶闸管| GTO | 30V V( DRM ) | TO- 18 |
栅极 | |||
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2N4327
中文翻译 品牌: ETC |
THYRISTOR|GTO|60V V(DRM)|TO-18
晶闸管| GTO | 60V V( DRM ) | TO- 18\n |
栅极 | |||
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2N4328
中文翻译 品牌: ETC |
THYRISTOR|GTO|100V V(DRM)|TO-18
晶闸管| GTO | 100V V( DRM ) | TO- 18\n |
栅极 | |||
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2N4329
中文翻译 品牌: ETC |
THYRISTOR|GTO|150V V(DRM)|TO-18
晶闸管| GTO | 150V V( DRM ) | TO- 18\n |
栅极 | |||
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2N4330
中文翻译 品牌: ETC |
THYRISTOR|GTO|200V V(DRM)|TO-52
晶闸管| GTO | 200V V( DRM ) | TO- 52\n |
栅极 | |||
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2N4331
中文翻译 品牌: ETC |
THYRISTOR|GTO|250V V(DRM)|TO-52
晶闸管| GTO | 250V V( DRM ) | TO- 52\n |
栅极 | |||
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2N4333
中文翻译 品牌: ASI |
Silicon Controlled Rectifier, 390mA I(T), 60V V(DRM) | 栅 栅极 | |||
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2N4340
中文翻译 品牌: NJSEMI |
GATE-SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE 栅源击穿电压 |
栅 | |||
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2N4341
中文翻译 品牌: NJSEMI |
GATE-SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE 栅源击穿电压 |
栅 | |||
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2N4361
中文翻译 品牌: POWEREX |
Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts 相位控制可控硅70 Amoeres平均( 110 RMS) 1400伏 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N4361
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifiers 可控硅整流器器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N4361E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N4362
中文翻译 品牌: POWEREX |
Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts 相位控制可控硅70 Amoeres平均( 110 RMS) 1400伏 |
栅极 可控硅 | ||
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2N4362
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifiers 可控硅整流器器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N4363
中文翻译 品牌: POWEREX |
Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts 相位控制可控硅70 Amoeres平均( 110 RMS) 1400伏 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N4363
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifiers 可控硅整流器器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N4363E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N4364
中文翻译 品牌: POWEREX |
Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts 相位控制可控硅70 Amoeres平均( 110 RMS) 1400伏 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N4364
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifiers 可控硅整流器器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N4364E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N4365
中文翻译 品牌: POWEREX |
Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts 相位控制可控硅70 Amoeres平均( 110 RMS) 1400伏 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N4365
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifiers 可控硅整流器器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N4365E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN | 栅 栅极 | |||
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2N4366
中文翻译 品牌: POWEREX |
Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts 相位控制可控硅70 Amoeres平均( 110 RMS) 1400伏 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N4366
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Silicon Controlled Rectifiers 可控硅整流器器 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 | ||
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2N4367
中文翻译 品牌: POWEREX |
Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts 相位控制可控硅70 Amoeres平均( 110 RMS) 1400伏 |
栅极 触发装置 可控硅整流器 |