| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N5900
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66
晶体管| BJT | PNP | 60V V（ BR ） CEO | 7A I（C ） | TO- 66\n |
晶体 晶体管 | |||
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2N5901
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66
晶体管| BJT | PNP | 25V V（ BR ） CEO | 7A I（C ） | TO- 66\n |
晶体 晶体管 | |||
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2N5902
中文翻译 品牌: NJSEMI |
DUAL N-CHANNEL FETS | 小信号场效应晶体管 | |||
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2N5904
中文翻译 品牌: NJSEMI |
DUAL N-CHANNEL FETS | 小信号场效应晶体管 | |||
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2N5905
中文翻译 品牌: INTERSIL |
MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 单片双N沟道JFET通用放大器 |
晶体 放大器 晶体管 | |||
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2N5905
中文翻译 品牌: MICROSS |
LOW NOISE, LOW DRIFT MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET 低噪声，低漂移整体式双N沟道JFET |
晶体 小信号场效应晶体管 | |||
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2N5905
中文翻译 品牌: NJSEMI |
DUAL N-CHANNEL JFET 双N沟道JFET |
晶体 小信号场效应晶体管 | |||
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2N5906
中文翻译 品牌: INTERSIL |
MONOLITHIC DUAL N CHANNEL JFET GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 单片双N沟道JFET通用放大器 |
晶体 放大器 晶体管 | |||
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2N5906
中文翻译 品牌: MICROSS |
LOW NOISE, LOW DRIFT MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET 低噪声，低漂移整体式双N沟道JFET |
晶体 小信号场效应晶体管 | |||
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2N5906
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans JFET N-CH 7-Pin TO-78 | 小信号场效应晶体管 | |||
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2N5907
中文翻译 品牌: MICROSS |
LOW NOISE, LOW DRIFT MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET 低噪声，低漂移整体式双N沟道JFET |
晶体 小信号场效应晶体管 | |||
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2N5907
中文翻译 品牌: NJSEMI |
DUAL N-CHANNEL FETS | 小信号场效应晶体管 | |||
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2N5908
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans JFET N-CH 7-Pin TO-78 | 小信号场效应晶体管 | |||
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2N5909
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans JFET N-CH 7-Pin TO-78 | 小信号场效应晶体管 | |||
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2N5910
中文翻译 品牌: CENTRAL |
PMP SILICON SWITCHING TRANSISTORS PMP硅开关晶体管 |
晶体 开关 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 | ||
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2N5910
中文翻译 品牌: NJSEMI |
PNP ULTRA HIGH SPEED SATURATED LOGIC SWITCHES PNP超高速饱和多逻辑关闭 |
晶体 小信号双极晶体管 开关 | |||
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2N5911
中文翻译 品牌: NJSEMI |
DIFFETENTIAL PAIRS N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS DIFFETENTIAL对由n沟道硅结场效应晶体管 |
晶体 小信号场效应晶体管 | |||
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2N5911/
中文翻译 品牌: NJSEMI |
N-CHANNEL DUAL SILICON JUNCTION FET | 小信号场效应晶体管 | |||
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2N5911X
中文翻译 品牌: CALOGIC |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, DIE | 放大器 | ||
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2N5912
中文翻译 品牌: CALOGIC |
Dual N-Channel JFET High Frequency Amplifier 双N沟道JFET高频放大器 |
放大器 | ||
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2N5912
中文翻译 品牌: NJSEMI |
DIFFETENTIAL PAIRS N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS DIFFETENTIAL对由n沟道硅结场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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2N5912-E3
中文翻译 品牌: VISHAY |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET | ||||
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2N5912X
中文翻译 品牌: CALOGIC |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, DIE | 开关 晶体管 | ||
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2N5916
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 24V V(BR)CEO | 200MA I(C) | STX-6
晶体管| BJT | NPN | 24V V（ BR ） CEO | 200MA I（C ） | STX - 6 |
晶体 晶体管 | |||
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2N5918
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 750MA I(C) | STX-6
晶体管| BJT | NPN | 30V V（ BR ） CEO | 750MA I（C ） | STX - 6\n |
晶体 晶体管 | |||
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2N5926
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-210AE
晶体管| BJT | NPN | 120V V（ BR ） CEO | 50A I（C ） | TO- 210AE\n |
晶体 晶体管 | |||
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2N5927
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100A I(C) | TO-114
晶体管| BJT | NPN | 120V V（ BR ） CEO | 100A I（C ） | TO- 114\n |
晶体 晶体管 | |||
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2N5928
中文翻译 品牌: NJSEMI |
SILICON NPN TRANSISTOR 硅NPN晶体管 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2N5929
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 在一个密封TO3双极NPN装置 |
晶体 晶体管 装置 局域网 | ||
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2N593
中文翻译 品牌: NJSEMI |
BIDIRECTIONAL TRANSISTOR 双向晶体管 |
晶体 晶体管 |