型号等于：	2N658 (2) 2N6580 (1) 2N6581 (2) 2N6582 (1) 2N6583 (1) 2N6584 (1) 2N6585 (1) 2N6586 (1) 2N6587 (1) 2N6588 (1) 2N6589 (1)
型号起始：	2N658* (18) 2N6580* (2) 2N6581* (2) 2N6582* (1) 2N6583* (2) 2N6584* (2) 2N6585* (1) 2N6586* (2) 2N6587* (1) 2N6588* (1) 2N6589* (2)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(7) NJSEMI(4) VISHAY(3) SEME-LAB(2) ETC(1)
功能分类：	不限局域网(4) 晶体管(10) 功率双极晶体管(2) 晶体(2) 装置(2)

2N658 - 型号起始 - 功率双极晶体管; 总记录数：14

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2N6580 中文翻译品牌: NJSEMI	Trans GP BJT NPN 400V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3	晶体管功率双极晶体管
		2N6580E3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2	局域网晶体管
		2N6581 中文翻译品牌: SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 在一个密封TO3金属封装的双极NPN装置	装置
		2N6581 中文翻译品牌: NJSEMI	Trans GP BJT NPN 450V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3	晶体管功率双极晶体管
		2N6582 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2
		2N6583 中文翻译品牌: SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 在一个密封TO3金属封装的双极NPN装置	晶体晶体管装置局域网
		2N6583E3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2	局域网晶体管
		2N6584 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2
		2N6584E3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2	局域网晶体管
		2N6585 中文翻译品牌: VISHAY	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, ISOLATED TO-61, 3 PIN
		2N6586 中文翻译品牌: VISHAY	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, ISOLATED TO-61, 3 PIN
		2N6586E3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin, TO-61, 3 PIN	晶体管
		2N6589 中文翻译品牌: VISHAY	Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, ISOLATED TO-61, 3 PIN	晶体管
		2N6589E3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin, TO-61, 3 PIN	晶体管

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